분류 전체보기 (67) 썸네일형 리스트형 [반도체 소자 공정] 누가 Photolithography 공정 쉽게 설명해주세요. 삼성전자에서 소개한 8대 공정에 대해서 들어본 적 있나요? photo 공정은 핵심 공정 중 하나로 8대 공정에 속합니다. "photo공정은 빛을 사용하여 반도체 웨이퍼나 다른 기판에 미세한 회로 패턴을 전달하고 정밀한 미세 가공을 수행합니다. 따라서 광원, 마스크, 광 감응 물질 등을 사용하여 고해상도 패턴을 만들기 위한 고도의 기술적 프로세스를 포함합니다." 라고 말하면 이해하기 어려우니까 하나씩 설명하겠습니다. Photolithography는 photo(광,光)과 lithography의 합성어로 빛(광)을 사용하여 마스크 상에 설계된 미세한 패턴을 wafer 상에 구현하는 인쇄 기술을 의미합니다. ( lithography : 석판 인쇄술 ) 자세한 설명에 앞서 이해를 돕기 위한 눈높이 교육 1. wa.. Wet station 화공약품안전교육 안전교육을 공부한 사람이라면 wet station 안전 교육의 중요성을 알 것입니다. 실험을 진행하며 chemical을 직접 다루는 상황이 많이 발생하는데요. 고위험군 화학 약품을 직접 다룬다는 것은 생명과 직결되어 화학 약품에 대한 정보, wet station 사용 방법 등 숙지해야 할 내용이 많습니다. 따라서 일부 교육에서는 실험 전 시험을 실시하기도 합니다. 오늘은 안전교육에서 강조해 주신 부분들을 정리했습니다. 바로 시작하겠습니다. MSDS : 물질안전보건자료(Material Safety Data Sheet) 화학 물질을 안전하게 취급하기 위하여 사용자에게 필요한 정보를 제공함으로써 화학 물질에 의한 산업 재해나 직업병을 예방하기 위한 자료로 화학 물질의 이름, 성분, 유해성, 위험성, 보관 방법.. 두 가지 대표적인 Transistor, FET와 BJT의 차이점 FET (Field-Effect Transistor)와 BJT (Bipolar Junction Transistor)은 두 가지 주요한 트랜지스터 유형으로, 전자 공학 및 전자 회로 설계에서 중요한 역할을 합니다. 오늘은 이 두 유형의 트랜지스터에 대해 살펴보겠습니다. BJT (Bipolar Junction Transistor) 장점 저전압에서 동작: BJT는 저전압에서 동작하며, 작은 전압 변화에 반응합니다. 비선형 특성: BJT는 특정 응용에서의 비선형 특성을 활용할 수 있으며, 신호 증폭에 적합합니다. 저비용: BJT는 일반적으로 FET보다 비용이 낮습니다. 단점 고입력 임피던스: BJT는 FET보다 입력 임피던스가 낮아 입력 신호에 부하를 가할 수 있습니다. 열 발생: BJT는 동작 중에 열을 발생.. 수식 없이 Maxwell Equation의 흐름 이해하기 Maxwell's equations은 전자기학의 기초 이론으로, 전자기 필드와 전자기파의 동작을 설명하는 중요한 물리학적 방정식입니다. 제임스 클러크 맥스웰(James Clerk Maxwell)이 19세기에 개발했으며, 전자기학의 발전에 매우 큰 기여를 하였습니다. 맥스웰 방정식은 일반 상황에서 전자기 현상을 표현하며, 전자기학의 핵심 원리 중 하나입니다. 오늘은 이해하기 쉽도록 수식 없이 Maxwell Equation의 전체적인 흐름을 알아보도록 하겠습니다. 맥스웰 방정식은 4개의 주요 방정식으로 구성되며, 각각은 다음과 같은 전기장의 성질과 자기장의 성질을 이용한다. 전기장의 성질 1. 전기장은 전하가 만든다. 2. 전기장은 에너지를 지닌다. 3. 변화하는 전기장엔 가상의 전류가 흐른다. 자기장의 성.. Field Effect Transistor의 가장 기본적인 구조, JFET 오늘은 JFET(Junction Field Effect Transistor)에 대해서 알아보겠습니다. JFET은 반도체 소자로, 주로 전압을 조절하거나 신호를 증폭하기 위해 사용됩니다. FET(Field Effect Transistor) 중에서 가장 간단하고 기본적인 구조를 가진다는 특징이 있어 이 소자를 이해한다면 다른 소자를 이해하는데 큰 도움이 될 것입니다. 함께 반도체 지식을 쌓아볼까요? 1. 구성 요소 게이트 (Gate): 게이트에 전압을 인가하여 채널의 전도도를 제어 채널 (Channel): 전하를 운반하는 반도체 물질로 게이트 전압에 따라 전류의 흐름을 제어 소스 (Source): 전류의 출발 지점으로 전자를 채널로 흘려보내는 역할 드레인 (Drain): 전류의 도착 지점으로 전자가 채널을 .. MOSFET 기반의 Memory 소자(DRAM, Flash Memory) 메모리 소자는 데이터를 저장하고 검색하기 위한 장치로, 컴퓨터와 디지털 기기에서 중요한 역할을 합니다. 메모리 소자는 정보를 0과 1의 이진 형태로 저장하며, 이를 위해 다양한 기술과 원리가 사용됩니다. 가장 일반적인 메모리 소자로는 DRAM(Dynamic Random Access Memory)과 Flash Memory가 있으며 두 소자는 MOSFET을 기반으로 하지만 구조와 동작 방식이 다릅니다. DRAM DRAM은 주로 주기억장치(메인 메모리)로 사용되며, 데이터를 일시적으로 저장하는 역할을 합니다. DRAM은 주기적으로 커패시터에 저장된 데이터를 갱신해야 하므로 '동적'이라는 이름이 붙었습니다. 1) 구조 DRAM은 각각 1개의 커패시터와 트랜지스터로 구성되어 있습니다. 각 셀은 하나의 비트를 저장.. Epitaxial Growth의 기본 지식 에피택시 (Epitaxy) 공정은 반도체 제조 과정에서 소자의 성능을 향상시키며, 반도체 산업 및 나노기술 분야에서 중요한 역할을 합니다. 에피텍셜 성장은 성장 제어, 정밀한 결정 구조 조절, 신소재 개발을 통해 현대 기술과 응용 분야에 기여하고 있습니다. 오늘은 Epitaxy 공정(Epitaxial Growth)에 대해서 알아보겠습니다. 에피택시는 원소나 화학물질을 단일 결정 구조로 성장시키는 기술로, 반도체 소자의 구조와 특성을 조절하기 위해 사용됩니다. 에피택시는 다양한 반도체 소자 및 디바이스를 제조하는 데 사용되며, 반도체 산업의 핵심 기술 중 하나로 여겨집니다. 에피택시 공정의 주요 특징과 단계를 설명하겠습니다. 기본 개념 반도체 기판 위에 wafer와 동일한 결정 구조의 얇은 층을 덧붙여 반.. Wide bandgap 소재를 이용한 전력 반도체 Wide bandgap 반도체 소재는 전력 반도체 분야에서 중요한 역할을 합니다. 오늘은 이 소재와 전력 반도체의 특징은 무엇인지, 전력 반도체를 주목해야 하는 이유는 무엇인지 알아보겠습니다. 먼저 wide bandgap 소재는 일반적인 실리콘(Si) 반도체보다 넓은 밴드갭을 가지며, 이로 인해 더 높은 전력 및 온도 조건에서 작동할 수 있으며 높은 전력 효율성을 제공합니다. 1. Wide bandgap 물질의 특성 넓은 밴드갭 : 와이드 밴드갭 소재는 일반적으로 3eV 이상의 밴드갭을 가지기 때문에 고전압과 고온에서 안정적으로 작동할 수 있습니다. 고전력 효율성 : 와이드 밴드갭 소재는 전력 손실을 최소화하고 전력 효율성을 향상시킵니다. 고온 안정성 : 높은 작동 온도에서도 안정성을 유지하므로 고온 환.. 이전 1 ··· 5 6 7 8 9 다음
