[스크랩] 삼성, 모바일 D램도 마이크론 제품 사용…경쟁력 논란? (250117)

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[경신스(경제신문스크랩) 순서]

1. 헤드라인에 제목과 요약을 써주세요
2. 다시 확인하기 위해 복사한 신문 링크를 붙여넣어주세요.
3. 복사한 신문기사를 내용에 붙여주세요
4. 신문기사를 보며 수치화에 해당하는 부분은 빨간색, 인사이트나 적용점을 트렌드 발견했다면 파란색으로 색을 입혀주세요.
5. 4) 하면서 추가 조사할 내용들에 대해 요약을 한 후 조사를 진행해보세요!
   (이 때, 경쟁사는 어떤 전략/사업을 취하고 있는지 함께 조사한다면 더욱 깊어진 신문스크랩이 될 거에요!)
6. 5)까지의 내용을 토대로 현직자에게 인터뷰를 할 때를 대비해 궁금한 점을 질문 리스트로 뽑아보세요.
   여기까지 끝난다면 참고한 기사 링크도 첨부해주세요!
7. 마지막으로 경제 신문스크랩 스터디를 위해 요약과 자신의 의견을 작성해주세요 (이를 통해 PT 면접을 대비할 수 있어요!)

출처 : 경신스 - https://alivecommunity.notion.site/f4ca50e759e3483e9f545cf58564b599

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1. 헤드라인 (요약과 압축 ,신문 링크)

삼성, 모바일 D램도 마이크론 제품 사용…경쟁력 논란?

삼성전자는 모바일 D램 1차 공급사로 경쟁사인 마이크론을 낙점했다.
이는 D램 공정 중 하나인 '10나노 5세대(1b) 공정의 기술력 부족으로 보이며 선폭이 가장 미세한 '10나노급 6세대 1c 공정'에 사활을 걸 것으로 보인다. 

2. 본문 (본문 내용 복사)
수치화, 인사이트 나누기
단순히 기사를 읽는 것이 아닌,희망직무와 관련된 사업의 방향성 / 전략을 어떻게 세워야 할지 생각하기
+ 추가 조사 포인트를 위한 키워드 잡기

[본문]

삼성전자가 처음으로 자사의 스마트폰 '갤럭시 S25' 모바일 D램 1차 공급사에 미국 마이크론을 낙점한 것으로 알려졌다. 일종의 '적과의 동침'으로, 이는 삼성전자가 우위를 지켜온 모바일 D램에서도 자사 제품을 쓰지 않고, 경쟁사 제품을 쓸 정도로 경쟁력이 밀리고 있다는 방증으로 읽힌다.

이에 삼성전자가 총력을 쏟고 있는 고성능 D램 기술인 '1c 미세공정' 개발이 앞으로 더 중요해졌다. 마이크론 같은 경쟁사보다 한 발 앞서 이 공정을 활용해야 한다는 지적이다.

17일 업계에 따르면 삼성전자가 오는 22일 공개하는 '갤럭시 S25' 시리즈에 자사가 아닌 마이크론을 모바일 D램(LPDDR5) 1차 공급사로 선정한 것으로 알려졌다.

통상 스마트폰 제조업체는 다수의 모바일 D램 공급사를 두고 1차 공급사를 정한 뒤, 이 1차 공급사로부터 칩 대부분의 물량을 받은 뒤 나머지는 2차 공급사로부터 공급 받는다. 그동안 삼성전자 모바일(MX) 사업부는 당연히 자사의 반도체(DS) 부문이 만든 모바일 D램을 사용해 왔다.

하지만 마이크론을 1차 공급사로 정하면서 삼성전자 모바일 D램의 경쟁력을 같은 삼성전자 모바일 사업부에서조차 믿지 못하는 것 아니냐는 분석이 나온다.

특히 업계에서는 삼성전자가 모바일 두뇌 칩인 애플리케이션프로세서(AP)을 퀄컴 제품으로 사용한 데 이어 D램에서도 경쟁사에 제품력이 밀린 것 아니냐고 본다.

삼성전자는 지난해부터 D램 공정 중 하나인 '10나노 5세대(1b) 공정'을 중심으로 고대역폭메모리(HBM)와 모바일 D램인 LPDDR5를 양산해 왔는데, 수율(품질검증)과 성능, 설계 등 문제를 해결하지 못한 것으로 보인다.

단적으로 5세대 HBM인 'HBM3E'를 이 1b 공정으로 개발하고 있지만 기술력 부족으로 엔비디아 공급이 지연되고 있다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 최근 'CES 2025' 기자간담회에서 삼성 HBM3E에 대해 "새로운 디자인을 설계해야 한다"고 발언하기도 했다.

이에 삼성전자가 '10나노급 6세대 1c 공정'을 통해 상황을 얼마나 반전시킬 지 관심이 커진다. 1c 공정은 10나노대 초반의 극미세화된 D램 메모리 공정으로 고성능 D램을 좌우할 차세대 기술로 통한다.

회로 선폭에 따라 '1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c' 등 6개 세대로 나뉘는데 1c는 선폭이 가장 미세해, 이전 세대 공정인 1b와 비교하면 반도체 동작 속도와 전력 효율이 크게 개선된다.

삼성전자는 1b 공정에서 애를 먹고 있어, 차세대 D램 시장을 주도할 1c 공정에서는 수율 확보와 기술 안정으로 빠른 제품 적용을 끌어내야 한다는 지적이다.

삼성전자는 SK하이닉스 등 경쟁사보다 한 세대 앞서 6세대 'HBM4'에 이 기술을 먼저 쓸 예정이다. 삼성전자는 연내 1c 공정을 활용해 첨단 반도체를 생산한다는 계획이다.

업계 관계자는 "삼성은 D램에서 자존심을 회복하기 위해 올해 1c 공정 양산에 사활을 걸 것"이라며 "기술 안정이 우선 되지 못하면 1b 공정과 같은 결과가 나올 수 밖에 없다"고 전했다.

[서울=뉴시스]삼성전자 평택 캠퍼스 반도체 공장 내부. (사진=삼성전자 제공) photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지

3. 본문의 근거 (객관적인 수치)

삼성전자는 갤럭시25에 사용되는 모바일 D램의 1차 공급사로 경쟁사인 마이크론을 선정했다.
이는 D램 공정 중 하나인 '10나노 5세대(1b) 공정의 기술력 부족으로 보이며 선폭이 가장 미세한 '10나노급 6세대 1c 공정'에 사활을 걸 것으로 보인다. 

(1) 10나노 5세대(1b) 공정의 수율과 성능, 설계 등 기술력 부족 
       - HBM(고대역폭 메모리) 엔비디아 공급 지연 
       - 삼성전자 모바일(MX) 사업부는 자사의 반도체(DS) 부문의 LPDDR(모바일 D램)이 아닌 경쟁사인 마이크론을 1차 공급사로 선정
          (모바일 두뇌 칩인 어플리케이션 프로세서(AP)를 퀄컴 제품으로 사용한 바 있음 -> 자사에서도 기술력으로 밀린 것 아니냐는 분석)

(2) 삼성전자, 10나노 5세대 (1b) -> 10나노급 6세대 1c 공정으로 차세대 기술 도입을 준비중
       - 회로 선폭에 따라 '1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c' 등 6개 세대로 나뉘는데 1c는 선폭이 가장 미세하며,
          이전 세대 공정인 1b와 비교하면 반도체 동작 속도와 전력 효율이 크게 개선
삼성전자는 SK하이닉스 등 경쟁사보다 한 세대 앞서 6세대 'HBM4'에 이 기술을 먼저 쓸 예정

4. 추가 조사할 내용 또는 결과 (기사의 근거를 통해 바뀐 수치는 무엇인가?)
위에서 잡은 추가조사 키워드 하나만을 조사해보세요

질문 1) 안정적인 수율의 범위와 10나노 5,6세대인 1b,1c 수율?
(1) D램의 안정적인 수율 : 80 ~ 90%가 목표
(2) 1b => sk하이닉스: 60% , 삼성전자: 50% 미만으로 추정
(3) 1c => sk하이닉스: 60%, 삼성전자: 

AI용 메모리로 각광받는 HBM은 D램을 쌓아 만든 칩 -> D램 경쟁력이 HBM으로 직결되기에 삼성전자의 위기로 보고 있음

질문 2) 모바일 D램 (LPDDR5)의 수율이 떨어진 이유는? -> 부진한 10나노 1b 기술력 부진

질문 3) 10나노 5세대 (1b) 공정은 어떤 부분에서 수율을 떨어지게 만들었나? -> 수율과 발열이 문제라는 것만 알려지고 공정 기술력은 삼성전자 보안상 알 수 없음

5. 적용할 점 (현직자 인터뷰 질문/자소서/면접/실무)

삼성전자는 1a에서 EUV와 공정 변화를 시도하면서 수율에 어려움을 겪음 -> 그 여파가 1b까지 미침
이에 1b의 경우 1a의 부진을 만회하기 위해 개발되어 1a의 파생이자 1a의 1b 중간단계인 1abs(1ab superset)로 1b를 대체함.
-> HBM으로 적용을 고려하지 않은 제품이라 ->  HBM4에서는 1c를 사용할 수밖에 없는 것으로 알려짐

삼성전자: 2018년, EUV 도입을 가장 먼저 시작
SK hynix: 2020년, 삼성전자보다 2년 뒤에 EUV 도입
Micron: 2021년, 가장 늦은 시점에서 EUV 도입
-> D램 선두 3기업 중에 삼성전자는 EUV 경험이 가장 많은데 1c 기술력으로 D램 점유율 확보를 기대해도 되는가?

6. 나와의 연관성 (직무/산업/직장)

회로 선폭에 따라 '(10나노 후반)1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c(10나노 초반)' 등 6개 세대로 나뉨
: 1c는 11~12nm 선폭으로 추정하며 1b와 비교할 때, 반도체 동작 속도와 전력 효율이 크게 개선

1b 공정은 EUV를 사용하지 않으며, 1c 공정부터 EUV 기술이 본격적으로 적용

7. 연관 기사 링크

 

https://www.viva100.com/20240901010000124

D램 ‘희비 교차’…1c 진출 SK하이닉스 vs 1b 발목 삼성전자

https://www.mk.co.kr/economy/view/2025/22888

‘삼성 부품’ 안 쓰는 삼성전자에 무슨 일?

https://dealsite.co.kr/articles/130261?utm_source=chatgpt.com

[해법 찾는 삼성] 조기 도입 EUV, 1c부터 결실 맺나 - 딜사이트